NTGS5120PT1G

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NTGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Numéro de pièce：

NTGS5120PT1G

Modèle alternatif：

0ZCJ0005FF2E , MMZ1005S601CTD25 , FDC5614P , BSS84W-7-F , PMN55ENEAX , SD101AWS-7-F , DMP6110SVT-7 , 2N7002LT1G , NTD6415ANLT4G , ZXMP6A17E6TA , NCV33274ADTBR2G , NVGS5120PT1G , NDS0605 , SI3127DV-T1-GE3 , SI3459BDV-T1-E3

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

RoHS：

YES

：

NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

1.8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

111mOhm @ 2.9A, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18.1 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

942 pF @ 30 V

Dissipation de puissance (maximum)：

600mW (Ta)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：30824

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.19

570

6000

0.18

1080

9000

0.17

1530

30000

0.15

4500

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