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Détails du produit
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Numéro de pièce:
SI7812DN-T1-GE3
Modèle alternatif:
SI7812DN-T1-E3 , BLM31KN121SN1L , MMBT3906SL , SMDJ30CA , SI7153DN-T1-GE3 , SI2387DS-T1-GE3 , PI3424-00-LGIZ , SISA14DN-T1-GE3 , VLMO1500-GS08 , MQPI-18LP-01 , LTM8024IY#PBF , SQJ401EP-T2_GE3 , IPG20N10S4L22ATMA1 , SIS782DN-T1-GE3 , 0448004.MR
Fabricant:
Vishay / Siliconix
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products
>
Transistors
>
FETs, MOSFETs
>
Single FETs, MOSFETs
>
Description:
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
RoHS:
YES
:
SI7812DN-T1-GE3
SI7812DN-T1-GE3
SI7812DN-T1-GE3 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Vgs (Max):
±20V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss):
75 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur:
PowerPAK® 1212-8
Colis/Caisse:
PowerPAK® 1212-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
16A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
37mOhm @ 7.2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
840 pF @ 35 V
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Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:52392
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