SI7174DP-T1-GE3

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SI7174DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7174DP-T1-GE3

Modèle alternatif：

LP2986AIM-3.3/NOPB , A3P250-FG144I , NTTFS3D7N06HLTWG , ITS4040DEPDXUMA1 , SI4864DY-T1-GE3 , ERF8-020-05.0-S-DV-K-TR , XPN7R104NC , L1XHQ , SD2114S040S8R0 , LTC4216IDE#PBF , AD7814ARTZ-500RL7 , 5044491007 , SISH434DN-T1-GE3 , SI6415DQ-T1-E3 , SI7148DP-T1-E3 , 158AVG016MGBJ

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

75 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)：

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

72 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7mOhm @ 10A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2770 pF @ 40 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5740

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.64

4920

6000

1.57

9420

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