SI7716ADN-T1-GE3

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SI7716ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7716ADN-T1-GE3

Modèle alternatif：

SSM6J507NU , LF , SI2324DS-T1-GE3 , SI2347DS-T1-GE3 , SIR426DP-T1-GE3 , SIS434DN-T1-GE3 , SI2304DDS-T1-GE3 , QBLP601-IG , DMG3402L-7 , PMF170XP , 115 , SI7121DN-T1-GE3 , EX-14A , SK38A-LTP , SI1902DL-T1-GE3 , GBPC2506 , SI7450DP-T1-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

16A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

23 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

13.5mOhm @ 10A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

846 pF @ 15 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：12647

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.54

1620

6000

0.52

3120

9000

0.48

4320

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