SI7738DP-T1-GE3

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SI7738DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7738DP-T1-GE3

Modèle alternatif：

VOM617A-4T , SIR632DP-T1-RE3 , 3BC-3-CA-F , BSC360N15NS3GATMA1 , SI7852DP-T1-GE3 , SIR696DP-T1-GE3 , JANTX1N4942 , DLW21HN900SQ2L , LT3748EMS#PBF , SRV05-4HTG-D , WP710A10QBC/D , MMBT3904 , 215

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

53 nC @ 10 V

Tension drain-source (Vdss)：

150 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

5.4W (Ta), 96W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2100 pF @ 75 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

38mOhm @ 7.7A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5914

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.57

4710

6000

1.51

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