SIA421DJ-T1-GE3

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SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Numéro de pièce：

SIA421DJ-T1-GE3

Modèle alternatif：

SN74HCS125BQAR , MAX25240AFFD/VY+ , SIA483DJ-T1-GE3 , SN65MLVD047APW , QLS6A-FKW-CNSNSF043 , RCLAMP0531TQTCT , SIA469DJ-T1-GE3 , LT8334RDE#PBF , SIAA40DJ-T1-GE3 , HX6096NLT , PMEG3020CPA , 115 , ROE-0505S , CT05-3050-J1 , MAX77962EWJ06+T , 0878311620

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

RoHS：

YES

：

SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

29 nC @ 10 V

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

950 pF @ 15 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 5.3A, 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：54418

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