SIA426DJ-T1-GE3

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SIA426DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Numéro de pièce：

SIA426DJ-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

RoHS：

YES

：

SIA426DJ-T1-GE3 SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±12V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.5V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4.5A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

27 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1020 pF @ 10 V

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

23.6mOhm @ 9.9A, 10V

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