SIA432DJ-T1-GE3

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SIA432DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Numéro de pièce：

SIA432DJ-T1-GE3

Modèle alternatif：

EPCQ16ASI8N , SN65LVDS3487D , SML-020MLTT86 , SI7818DN-T1-GE3 , SIA462DJ-T1-GE3 , MPM3805GQB-Z , 1N4148WT-7 , DAC8411IDCKT , MMZ1608S800ATA00 , FDM3622 , AD602ARZ , SIA400EDJ-T1-GE3 , SIA468DJ-T1-GE3 , IS181GB , ADG1401BRMZ

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

RoHS：

YES

：

SIA432DJ-T1-GE3 SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

20 nC @ 10 V

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20mOhm @ 6A, 10V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

800 pF @ 15 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4810

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.48

1440

6000

0.46

2760

9000

0.44

3960

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