SIA456DJ-T1-GE3

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SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

Numéro de pièce：

SIA456DJ-T1-GE3

Modèle alternatif：

NCV7520MWTXG , SI4090DY-T1-GE3 , SIA446DJ-T1-GE3 , NRVTSA4100T3G , TPN2010FNH , L1Q , SI4056DY-T1-GE3 , SIS892DN-T1-GE3 , SIB456DK-T1-GE3 , V2P6-M3/H , ADUM7441CRQZ-RL7 , SI4816BDY-T1-GE3 , XLUGR34M , SISB46DN-T1-GE3 , MBR1H100SFT3G , SI7818DN-T1-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

RoHS：

YES

：

SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

200 V

Vgs (Max)：

±16V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.6A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.4V @ 250µA

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

14.5 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

1.38Ohm @ 750mA, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

350 pF @ 100 V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：17800

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.41

1230

6000

0.39

2340

9000

0.37

3330

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