SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Numéro de pièce:
SI4431CDY-T1-GE3
Modèle alternatif:
MMSZ5248BS-7-F  ,  LTC4100EG#PBF  ,  FDC655BN  ,  CMDSH-3 TR PBFREE  ,  SI4431BDY-T1-E3  ,  SM5819PL-TP  ,  SI4925DDY-T1-GE3  ,  SMAJ18CA  ,  FDS4435BZ  ,  IRLML6246TRPBF  ,  LTST-C170KGKT  ,  CDBHM140L-HF  ,  TLMG1100-GS08  ,  SI4447ADY-T1-GE3  ,  LTC4007EGN#PBF
Fabricant:
Vishay / Siliconix
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
RoHS:
YES
SI4431CDY-T1-GE3 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur:
8-SOIC
Colis/Caisse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Vgs (Max):
±20V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Type FET:
P-Channel
Tension drain-source (Vdss):
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
9A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
32mOhm @ 7A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
1006 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:46172
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
2500
0.31
775
5000
0.29
1450
12500
0.26
3250
25000
0.26
6500
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