IRF8788TRPBF

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IRF8788TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

Numéro de pièce：

IRF8788TRPBF

Modèle alternatif：

IRF8788PBF , IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , IRS2007STRPBF , 2EDF7275KXUMA1 , SI4126DY-T1-GE3 , IRF7862TRPBF , IRF8736TRPBF , SI4164DY-T1-GE3 , BSO033N03MSGXUMA1 , IRF8721TRPBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

RoHS：

YES

：

IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur：

8-SO

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.5W (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.35V @ 100µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

24A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.8mOhm @ 24A, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

66 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5720 pF @ 15 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：8773

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

4000

0.61

2440

8000

0.57

4560

12000

0.55

6600

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