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STB21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Numéro de pièce：

STB21NM60ND

Fabricant：

STMicroelectronics

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

RoHS：

YES

：

STB21NM60ND STB21NM60ND STB21NM60ND

STB21NM60ND Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur：

D2PAK

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Vgs (Max)：

±25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

17A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

140W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

60 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

220mOhm @ 8.5A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1800 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2025

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1000

3.6

3600

2000

3.39

6780

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