IXFN30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Numéro de pièce：
IXFN30N120P
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
RoHS：
YES
IXFN30N120P Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
310 nC @ 10 V
Vgs (Max)：
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
19000 pF @ 25 V
Colis/Caisse：
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-227B
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Dissipation de puissance (maximum)：
890W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
350mOhm @ 500mA, 10V
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