IXTA18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Numéro de pièce：
IXTA18P10T
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 100V 18A TO263
RoHS：
YES
IXTA18P10T Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
39 nC @ 10 V
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2100 pF @ 25 V
Vgs (Max)：
±15V
Dissipation de puissance (maximum)：
83W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
18A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 9A, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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