IXTP18P10T

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IXTP18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP18P10T

Modèle alternatif：

IXTP44N10T , IRFD220PBF , IRF9540NPBF , TC4452VAT , FQP17P10 , IXTP32P05T , TC74HC14APF , IRF9530NPBF , ISO721MMDREP , IXTP76P10T , 1120 , IXTP52P10P , IXTP36P15P , IRF5210PBF , IXTP28P065T

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP18P10T

IXTP18P10T Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

39 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2100 pF @ 25 V

Vgs (Max)：

±15V

Dissipation de puissance (maximum)：

83W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

18A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

120mOhm @ 9A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4083

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2.93

2.35

117.5

100

1.94

194

500

1.64

820

1000

1.39

1390

2000

1.32

2640

5000

1.27

6350

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