IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Numéro de pièce:
IPB70N10S312ATMA1
Modèle alternatif:
AUIR2085STR  ,  TLE9180D31QKXUMA1  ,  AUIRB24427STR
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
RoHS:
YES
IPB70N10S312ATMA1 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension drain-source (Vdss):
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (maximum):
125W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
66 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
70A (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 83µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
4355 pF @ 25 V
Package d'appareil du fournisseur:
PG-TO263-3-2
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
11.3mOhm @ 70A, 10V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:2363
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1000
1.52
1520
2000
1.44
2880
5000
1.39
6950
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