IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Numéro de pièce:
IPP023N04NGXKSA1
Modèle alternatif:
IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1  ,  IRLML0030TRPBF  ,  IRF2804PBF  ,  IR2110STRPBF  ,  IRF3710PBF  ,  IR2110PBF
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
RoHS:
YES
IPP023N04NGXKSA1 Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Colis/Caisse:
TO-220-3
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (maximum):
167W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
90A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur:
PG-TO220-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
2.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 95µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
10000 pF @ 20 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
2.71
2.71
50
2.18
109
100
1.79
179
500
1.52
760
1000
1.29
1290
2000
1.22
2440
5000
1.18
5900
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