IPP12CN10LGXKSA1

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IPP12CN10LGXKSA1

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

Numéro de pièce：

IPP12CN10LGXKSA1

Modèle alternatif：

FA-T220-25E , MCU30P06Y-TP , IRFB4410ZPBF , CSD19533KCS , SUP50020EL-GE3 , ANT11SF1CQE , TLE8366EVXUMA1 , STP40NF10L , 50M030050N012 , PSMN013-100PS , 127 , IPD122N10N3GATMA1 , EG1271A , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

RoHS：

YES

：

IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1

IPP12CN10LGXKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Dissipation de puissance (maximum)：

125W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

58 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO220-3

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

69A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.4V @ 83µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5600 pF @ 50 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

12mOhm @ 69A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2486

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2.11

1.71

85.5

100

1.4

140

500

1.19

595

1000

2000

0.96

1920

5000

0.91

4550

10000

0.89

8900

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