IPU075N03L G

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IPU075N03L G

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

Numéro de pièce：

IPU075N03L G

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

RoHS：

：

IPU075N03L G IPU075N03L G

IPU075N03L G Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18 nC @ 10 V

Colis/Caisse：

TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7.5mOhm @ 30A, 10V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO251-3-21

Dissipation de puissance (maximum)：

47W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1900 pF @ 15 V

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