FDI030N06
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
FDI030N06 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
120A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-262 (I2PAK)
Dissipation de puissance (maximum)：
231W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
151 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3.2mOhm @ 75A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9815 pF @ 25 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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