IXTY08N100D2

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IXTY08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

Numéro de pièce：

IXTY08N100D2

Modèle alternatif：

IXTY08N100D2-TRL , PA0367ANLT , IXTY01N100 , BSP135H6327XTSA1 , IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY01N100D

Fabricant：

Wickmann / Littelfuse

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

RoHS：

YES

：

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

TO-252AA

Dissipation de puissance (maximum)：

60W (Tc)

Fonctionnalité FET：

Depletion Mode

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

800mA (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

325 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

21Ohm @ 400mA, 0V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

14.6 nC @ 5 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

4.21

4.21

70

3.33

233.1

140

2.86

400.4

560

2.54

1422.4

1050

2.18

2289

2030

2.05

4161.5

5040

1.97

9928.8

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