IXTP6N100D2

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IXTP6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP6N100D2

Modèle alternatif：

IXTP08N100D2 , STP8NK100Z , IXTH6N100D2 , IXTP6N50D2 , IXTH6N50D2 , IXTH16N50D2 , IXTP3N50D2 , IXTP3N100D2

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP6N100D2

IXTP6N100D2 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Tc)

Fonctionnalité FET：

Depletion Mode

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

95 nC @ 5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2650 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.2Ohm @ 3A, 0V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

10.11

10.11

50

8.07

403.5

100

7.22

722

500

6.37

3185

1000

5.73

5730

2000

5.37

10740

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