IPB60R380C6ATMA1

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IPB60R380C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

Numéro de pièce：

IPB60R380C6ATMA1

Modèle alternatif：

LM2577S-ADJ/NOPB , PMLL4148L , 115 , IPB60R190C6ATMA1 , BNX016-01 , BLM21PG600SN1D , CBP-1000F+ , ERA-2+ , PHA-1H+

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

RoHS：

YES

：

IPB60R380C6ATMA1 IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO263-3

Dissipation de puissance (maximum)：

83W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

32 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

700 pF @ 100 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

10.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 320µA

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1000

1.13

1130

2000

1.08

2160

5000

1.03

5150

10000

1

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