IPD60R520C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Numéro de pièce:
IPD60R520C6BTMA1
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
RoHS:
YES
IPD60R520C6BTMA1 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss):
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
8.1A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur:
PG-TO252-3
Dissipation de puissance (maximum):
66W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
520mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id:
3.5V @ 230µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
23.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
512 pF @ 100 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
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