IPI60R380C6XKSA1

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IPI60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

Numéro de pièce：

IPI60R380C6XKSA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

RoHS：

YES

：

IPI60R380C6XKSA1 IPI60R380C6XKSA1

IPI60R380C6XKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Colis/Caisse：

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Dissipation de puissance (maximum)：

83W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

32 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO262-3

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

700 pF @ 100 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

10.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 320µA

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