IPP80P03P4L04AKSA1

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IPP80P03P4L04AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Numéro de pièce：

IPP80P03P4L04AKSA1

Modèle alternatif：

IPP80P03P4L04AKSA2 , JSM2512S12 , IRF4905PBF , JCM1512S05 , IPP120P04P4L03AKSA2 , ESQT-104-02-F-D-500 , R-78B9.0-2.0 , PDQ10-Q24-S5-D , UA78M33QDCYRG4Q1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

RoHS：

YES

：

IPP80P03P4L04AKSA1 IPP80P03P4L04AKSA1

IPP80P03P4L04AKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO220-3-1

Vgs (Max)：

+5V, -16V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

160 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

137W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 253µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

11300 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3.27

2.62

131

100

2.16

216

500

1.83

915

1000

1.55

1550

2000

1.47

2940

5000

1.42

7100

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