STB13NM60N

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STB13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Numéro de pièce：

STB13NM60N

Modèle alternatif：

STB13N60M2 , ASR-SD380D5RL , STB42N65M5 , STD13NM60N

Fabricant：

STMicroelectronics

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

RoHS：

YES

：

STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N STB13NM60N

STB13NM60N Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur：

D2PAK

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Vgs (Max)：

±25V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

90W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

360mOhm @ 5.5A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

790 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2559

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1000

2.81

2810

2000

2.64

5280

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