IRFH6200TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Numéro de pièce：
IRFH6200TR2PBF
Modèle alternatif：
IRFH6200TRPBF , IRFH6200TRPBF
Fabricant：
IR (Infineon Technologies)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
RoHS：
NO
IRFH6200TR2PBF Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Package d'appareil du fournisseur：
8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.1V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
230 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
10890 pF @ 10 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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