IRF6645

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IRF6645

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

Numéro de pièce：

IRF6645

Modèle alternatif：

IRF6645TRPBF , BUK9637-100E , 118 , IRF6644TRPBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

RoHS：

：

IRF6645 IRF6645

IRF6645 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

20 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

890 pF @ 25 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.9V @ 50µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

5.7A (Ta), 25A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 5.7A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

3W (Ta), 42W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

DIRECTFET™ SJ

Colis/Caisse：

DirectFET™ Isometric SJ

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