IRFH5104TR2PBF

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IRFH5104TR2PBF

MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN

Numéro de pièce：

IRFH5104TR2PBF

Modèle alternatif：

IRFH5104TRPBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN

RoHS：

NO

：

IRFH5104TR2PBF IRFH5104TR2PBF

IRFH5104TR2PBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

80 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 100µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

3120 pF @ 25 V

Package d'appareil du fournisseur：

PQFN (5x6)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3.5mOhm @ 50A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

24A (Ta), 100A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

3.6W (Ta), 114W (Tc)

Colis/Caisse：

8-VQFN Exposed Pad

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1939

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

400

1.55

620

800

1.35

1080

1200

1.14

1368

2000

1.09

2180

10000

1.01

10100

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