IRFH5220TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Numéro de pièce:
IRFH5220TRPBF
Modèle alternatif:
IRFH5220TR2PBF
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
RoHS:
NO
IRFH5220TRPBF Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss):
200 V
Vgs(e) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
1380 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximum):
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur:
PQFN (5x6)
Colis/Caisse:
8-VQFN Exposed Pad
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
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