SI4632DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
Numéro de pièce：
SI4632DY-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
RoHS：
YES
SI4632DY-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
40A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
25 V
Vgs (Max)：
±16V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
161 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
2.7mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)：
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
11175 pF @ 15 V
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