SI5482DU-T1-GE3

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SI5482DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

Numéro de pièce：

SI5482DU-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

RoHS：

YES

SI5482DU-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Tc)

Vgs (Max)：

±12V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

51 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Colis/Caisse：

PowerPAK® ChipFET™ Single

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® ChipFET™ Single

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

15mOhm @ 7.4A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1610 pF @ 15 V

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