SI7196DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Numéro de pièce：
SI7196DP-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7196DP-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 12A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® SO-8
Colis/Caisse：
PowerPAK® SO-8
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1577 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximum)：
5W (Ta), 41.6W (Tc)
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Quantité d'emballage standard：1600
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