SQM85N15-19_GE3

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SQM85N15-19_GE3

MOSFET N-CH 150V 85A TO263

Numéro de pièce：

SQM85N15-19_GE3

Modèle alternatif：

IRFS4321TRLPBF , MCP19122T-E/MJ , SUM85N15-19-E3 , THN 20-2423WI , BSS84PH6433XTMA1 , SMBJ100CA-13-F , 744232090 , VS-15ETH03S-M3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 150V 85A TO263

RoHS：

YES

：

SQM85N15-19_GE3 SQM85N15-19_GE3 SQM85N15-19_GE3

SQM85N15-19_GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263 (D2PAK)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tension drain-source (Vdss)：

150 V

Dissipation de puissance (maximum)：

375W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

85A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

120 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

19mOhm @ 30A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

6285 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

800

2.32

1856

1600

1.99

3184

2400

1.87

4488

5600

1.79

10024

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