SUD35N05-26L-E3

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SUD35N05-26L-E3

MOSFET N-CH 55V 35A TO252

Numéro de pièce：

SUD35N05-26L-E3

Modèle alternatif：

SUD23N06-31-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 35A TO252

RoHS：

YES

SUD35N05-26L-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA (Min)

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-252AA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

35A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20mOhm @ 20A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

885 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

7.5W (Ta), 50W (Tc)

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