PSMN3R0-60ES,127
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Numéro de pièce：
PSMN3R0-60ES,127
Fabricant：
Nexperia
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
RoHS：
YES
PSMN3R0-60ES,127 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Vgs (Max)：
±20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 25A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
130 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
I2PAK
Dissipation de puissance (maximum)：
306W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
8079 pF @ 30 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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