ECH8310-TL-H

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ECH8310-TL-H

MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH

Numéro de pièce：

ECH8310-TL-H

Modèle alternatif：

NCP5623DTBR2G

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH

RoHS：

YES

：

ECH8310-TL-H ECH8310-TL-H

ECH8310-TL-H Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Type FET：

P-Channel

Dissipation de puissance (maximum)：

1.5W (Ta)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

9A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

28 nC @ 10 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4V, 10V

Package d'appareil du fournisseur：

8-ECH

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1400 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

17mOhm @ 4.5A, 10V

Colis/Caisse：

8-SMD, Flat Leads

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.4

1200

6000

0.37

2220

9000

0.34

3060

30000

0.34

10200

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