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NVD5890NT4G

MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK

Numéro de pièce：

NVD5890NT4G

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK

RoHS：

YES

：

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NVD5890NT4G Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Grade：

Automotive

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Qualification：

AEC-Q101

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

24A (Ta), 123A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3.7mOhm @ 50A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4760 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

4W (Ta), 107W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

100 nC @ 10 V

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