NVTFS5116PLTWG

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NVTFS5116PLTWG

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Numéro de pièce：

NVTFS5116PLTWG

Modèle alternatif：

NVTFS5116PLTAG , DMP6023LFGQ-7 , NVTFS5116PLWFTWG , SI2300DS-T1-GE3 , SQJB02ELP-T1_GE3 , SI7489DP-T1-GE3 , NCV890104MWR2G , NTTFS5116PLTWG , NCV47711PDAJR2G , NCV7520MWTXG , MAX6861UK225+T , AON7296 , NVTFS5116PLWFTAG , FDMC86139P , INA132UA/2K5 , ADXL345BCCZ

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

RoHS：

YES

：

NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG

NVTFS5116PLTWG Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Grade：

Automotive

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Qualification：

AEC-Q101

Package d'appareil du fournisseur：

8-WDFN (3.3x3.3)

Colis/Caisse：

8-PowerWDFN

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.2W (Ta), 21W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1258 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

52mOhm @ 7A, 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5756

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