NVTFS5820NLTWG

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NVTFS5820NLTWG

MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN

Numéro de pièce：

NVTFS5820NLTWG

Modèle alternatif：

NVTFS5820NLTAG

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN

RoHS：

YES

：

NVTFS5820NLTWG NVTFS5820NLTWG NVTFS5820NLTWG

NVTFS5820NLTWG Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Grade：

Automotive

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Qualification：

AEC-Q101

Package d'appareil du fournisseur：

8-WDFN (3.3x3.3)

Colis/Caisse：

8-PowerWDFN

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

28 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.3V @ 250µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

11.5mOhm @ 8.7A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1462 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.2W (Ta), 21W (Tc)

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