STL18NM60N
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Numéro de pièce:
STL18NM60N
Fabricant:
STMicroelectronics
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
RoHS:
YES
STL18NM60N Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Colis/Caisse:
8-PowerVDFN
Vgs (Max):
±30V
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss):
600 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 50 V
Package d'appareil du fournisseur:
PowerFlat™ (8x8) HV
Dissipation de puissance (maximum):
3W (Ta), 110W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
310mOhm @ 6A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:4286
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
1.41
4230
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