STH180N10F3-6

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STH180N10F3-6

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

Numéro de pièce：

STH180N10F3-6

Fabricant：

STMicroelectronics

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

RoHS：

YES

：

STH180N10F3-6

STH180N10F3-6 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

180A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

315W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

H2PAK-6

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.5mOhm @ 60A, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

114.6 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

6665 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1000

2.85

2850

2000

2.68

5360

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