NP100P06PLG-E1-AY

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NP100P06PLG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 100A TO263

Numéro de pièce：

NP100P06PLG-E1-AY

Modèle alternatif：

NP100P06PDG-E1-AY , DMP32M6SPS-13 , NP83P06PDG-E1-AY , SUM110P06-07L-E3 , SUM60061EL-GE3 , IPB120P04P4L03ATMA2 , GSFT06130 , NP16N06QLK-E1-AY , ATP304-TL-H

Fabricant：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 60V 100A TO263

RoHS：

YES

：

NP100P06PLG-E1-AY NP100P06PLG-E1-AY NP100P06PLG-E1-AY

NP100P06PLG-E1-AY Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

100A (Tc)

Type FET：

P-Channel

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Température de fonctionnement：

175°C (TJ)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

300 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 1mA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6mOhm @ 50A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.8W (Ta), 200W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

15000 pF @ 10 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2400

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

800

3.48

2784

1600

2.98

4768

2400

2.81

6744

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