NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Numéro de pièce:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Fabricant:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
RoHS:
YES
NP109N055PUJ-E1B-AY Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Tension drain-source (Vdss):
55 V
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Colis/Caisse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
Package d'appareil du fournisseur:
TO-263
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
180 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
110A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
10350 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
3.2mOhm @ 55A, 10V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
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