NP33N06YDG-E1-AY

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NP33N06YDG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Numéro de pièce：

NP33N06YDG-E1-AY

Fabricant：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

RoHS：

YES

：

NP33N06YDG-E1-AY NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

33A (Tc)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

5V, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

3900 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

78 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

8-HSON

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

14mOhm @ 16.5A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

1W (Ta), 97W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4100

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.77

1925

5000

0.74

3700

12500

0.72

9000

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