NP50P04SDG-E1-AY

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NP50P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Numéro de pièce：

NP50P04SDG-E1-AY

Modèle alternatif：

HS1FFL , IPD50P04P4L11ATMA1 , SUD50P04-09L-E3 , SQD45P03-12_GE3 , DMP4015SK3Q-13 , FDV303N , TCLT1008 , SMBJ24A , BCM89811B1AWMLG , BAT54S , 235 , NCV7805BDTRKG , PMBTA45 , 215 , MM3Z10VT1G , DZ23C5V1-7-F

Fabricant：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

RoHS：

YES

：

NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY

NP50P04SDG-E1-AY Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Type FET：

P-Channel

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Température de fonctionnement：

175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

50A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

100 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5000 pF @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-252 (MP-3ZK)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

9.6mOhm @ 25A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.2W (Ta), 84W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：10494

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

1.12

2800

5000

1.09

5450

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