NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Numéro de pièce:
NP50P06KDG-E1-AY
Modèle alternatif:
IRF4905STRLPBF  ,  PTVS3V3S1UTR  ,  115  ,  IPB110P06LMATMA1  ,  MCB110P06Y-TP  ,  SBH21-NBPN-D07-ST-BK  ,  NP36P04KDG-E1-AY  ,  FSM2JSMAATR  ,  SPB80P06PGATMA1  ,  NP50P04KDG-E1-AY  ,  2311775-1  ,  MCU50P06Y-TP  ,  VXO78015-1000  ,  NP50P06SDG-E1-AY  ,  8W-20.000MBE-T  ,  SQD50P08-25L_GE3
Fabricant:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
RoHS:
YES
NP50P06KDG-E1-AY Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss):
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Vgs (Max):
±20V
Type FET:
P-Channel
Colis/Caisse:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
50A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
5000 pF @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur:
TO-263
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
95 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
1.8W (Ta), 90W (Tc)
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:6495
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
800
1.73
1384
1600
1.46
2336
2400
1.39
3336
5600
1.34
7504
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