NP80N06PLG-E1B-AY
MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Numéro de pièce：
NP80N06PLG-E1B-AY
Fabricant：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 60V 80A TO263
RoHS：
YES
NP80N06PLG-E1B-AY Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement：
175°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
6900 pF @ 25 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
128 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.3mOhm @ 40A, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1000
1.09
1090
2000
1.03
2060
5000
0.99
4950
10000
0.96
9600
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