STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Numéro de pièce：
STP10N65K3
Fabricant：
STMicroelectronics
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
RoHS：
YES
STP10N65K3 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Vgs (Max)：
±30V
Dissipation de puissance (maximum)：
150W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
650 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
10A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1180 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 3.6A, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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